廠家安全帽電緣性能測(cè)試儀    型號(hào)：FZY-A704

 儀器用途： 
用于測(cè)試安全帽對(duì)電的緣性能。

  試驗(yàn)方法 
優(yōu)先采用方法2和方法3進(jìn)行測(cè)量，兩種檢測(cè)方法同時(shí)合格為合格。 
如果安全帽有通氣孔、金屬零件貫穿帽殼等情況時(shí)采用方法1和方法3，兩種檢測(cè)方法同時(shí)合格為合格。 
測(cè)試之前需將安全帽進(jìn)行預(yù)處理： 
預(yù)處理方法：浸水，放置在溫度20℃±2℃，濃度為3g/L的氯化鈉溶液的水槽里*浸泡24h，從溶液中取出安全帽后應(yīng)在2min內(nèi)將安全帽表面擦干。 
以上預(yù)處理要求可配合A705安全帽綜合預(yù)處理箱（含紫外線老化、高溫箱、低溫箱、恒溫水浸泡箱、調(diào)溫調(diào)濕箱）

方法1：將安全帽放在頭模上，將頭箍鎖緊；將探頭接觸安全帽外表面的任意一處，頂端為半球形；在頭模和探頭之間施加交流測(cè)試電壓，調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)將電壓增加至1200V±25V，保持15s；重復(fù)進(jìn)行測(cè)試，每頂安全帽測(cè)試10個(gè)點(diǎn)。記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象。 
方法2：將安全帽倒放在合適的容器中，在容器和帽殼中注入3g/L的氯化鈉溶液，直至溶液面距帽殼邊緣10mm為止。將電分別放入帽殼內(nèi)外的溶液中，調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)增加至1200V±25V，保持15s。記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象。 
方法3：用兩個(gè)探頭接觸安全帽外表面上任意兩點(diǎn)并施加電壓，兩點(diǎn)間的距離不小于20mm。調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)增加至1200V±25V，保持15s；測(cè)量安全帽表面兩點(diǎn)間的泄漏電流，重復(fù)進(jìn)行測(cè)試，每頂安全帽測(cè)試10個(gè)點(diǎn)，記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象

  主要技術(shù)參數(shù)： 
1、電流表示值誤差±1%
2、電壓表示值誤差±1%
3、計(jì)時(shí)器示值誤差±1%
4、探頭直徑4mm，頂端為半球形。 
5、能在1min內(nèi)電壓增加至1200V±25V，保持15s。 
6、調(diào)壓器：量程1500V

 廠家安全帽電緣性能測(cè)試儀 特征 
1、優(yōu)質(zhì)不銹鋼儲(chǔ)水槽。 
2、LED數(shù)字顯示電流、電壓值。

 符合標(biāo)準(zhǔn) 
GB/T 2812－2006《安全帽測(cè)試方法》內(nèi)的電緣的性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求。 
GB/T 2811－2007《安全帽》

產(chǎn)品名稱(chēng)：數(shù)顯低溫沖擊試驗(yàn)機(jī) 數(shù)顯低溫沖擊試驗(yàn)儀  產(chǎn)品型號(hào)：TC-JBDS-300B 數(shù)顯低溫沖擊試驗(yàn)機(jī) 數(shù)顯低溫沖擊試驗(yàn)儀 型號(hào)：JBDS-300B  產(chǎn)品簡(jiǎn)介     JBDS-300B數(shù)顯低溫沖擊試驗(yàn)機(jī)，用來(lái)對(duì)金屬材料在動(dòng)負(fù)荷下抵抗沖擊的性能進(jìn)行檢驗(yàn)，是冶金機(jī)械制造等單位*的檢測(cè)儀器，也是科研單位進(jìn)行新材料研究*的測(cè)試儀器。沖擊試驗(yàn)機(jī)  本機(jī)為數(shù)顯式全自動(dòng)沖擊試驗(yàn)機(jī)，采用單片機(jī)控制，電動(dòng)揚(yáng)擺、沖擊、微機(jī)測(cè)量、運(yùn)算、數(shù)顯結(jié)果并可打印等，工作效率高、測(cè)試精度高。在沖擊試樣后可利用剩余能量自動(dòng)揚(yáng)擺，做好下次試驗(yàn)準(zhǔn)備，操作簡(jiǎn)便，工作效率高。在連續(xù)做沖擊試驗(yàn)的試驗(yàn)室和大量做沖擊試驗(yàn)的冶金、機(jī)械制造等行業(yè)更能體現(xiàn)其*性。單片機(jī)可數(shù)顯材料沖擊吸收功、擺錘揚(yáng)角及試驗(yàn)平均值，并可打印當(dāng)次試驗(yàn)數(shù)據(jù)及試驗(yàn)的平均值。TC-JBDS-300B型采用半導(dǎo)體制冷,溫度調(diào)節(jié)均為電氣自動(dòng)控制,配備送樣裝置自動(dòng)送料,試樣自動(dòng)端面定位,確保試樣出爐至沖擊時(shí)間不大于2秒,滿(mǎn)足金屬低溫夏比沖擊試驗(yàn)方法的要求.沖擊試驗(yàn)機(jī)  主要技術(shù)指標(biāo)：  1、沖擊能量：            150J、300J  2、擺錘預(yù)揚(yáng)角：          150°  3、擺軸中心至沖擊點(diǎn)距離： 750mm  4、沖擊速度：            5.2m/s  5、試樣支座跨距：        40mm  6、鉗口圓角：            R1-1.5mm  7、沖擊刀刃圓角：        R2-2.5mm  8、沖擊刀厚度：          16mm  9、制冷方式：            半導(dǎo)體制冷  10、試樣盒容量：          20個(gè)  11、低溫范圍：            0--60℃  12、控溫精度：            波動(dòng)±1.5℃  13、試樣尺寸：            10×10×55mm  14、外形尺寸：            1500 mm×850 mm×1340 mm  15、試驗(yàn)機(jī)凈重：          850Kg  16、電源：交流三相        380V±10%  50HZ  5A  17、環(huán)境條件：            周?chē)h(huán)境中無(wú)腐蝕介質(zhì)，無(wú)震動(dòng)，無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾

產(chǎn)品名稱(chēng)： 臺(tái)式硅酸根分析儀 硅酸根分析儀 產(chǎn)品型號(hào)：ND2012B

 臺(tái)式硅酸根分析儀 硅酸根分析儀型號(hào)：ND2012B

硅酸根分析儀，用于測(cè)定水中的硅酸根含量。主要應(yīng)用于火力發(fā)電廠鍋爐給水及蒸汽中硅酸根含量的測(cè)定和電子行業(yè)高純水硅含量的測(cè)定以及其它符合本儀器使用條件的類(lèi)似場(chǎng)合。本儀器采用微控制器及液晶顯示。  

主要特點(diǎn)： 
1：光源采用進(jìn)口單色冷光源，功耗低，壽命長(zhǎng)； 
2：光電測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)有恒溫系統(tǒng)，信號(hào)不受環(huán)境溫度影響，無(wú)漂移 
3：智能延時(shí)排液 
4：智能延時(shí)標(biāo)定 
測(cè)量范圍 0~200µg/L （以SiO2計(jì)） 
 基本誤差 ± 2% FS 
 耗電功率  < 100W 
 工作電源  220VAC,50HZ 
 重復(fù)性誤差  < 1.5% FS 
 長(zhǎng)期漂移   < 2% FS (24小時(shí)) 
 環(huán)境溫度 10℃～40℃ 
 相對(duì)濕度 ≤85％ 
 保修期一年